1. 该测试能够从外观缺陷的多种⻆度对Micro LED芯片进行快速诊断与分析，可做到无接触、非破坏性和超快速的缺陷检测，可检测晶圆表面划伤、残胶、外延缺陷、位置偏移、偏转、缺失等。

2. 最小缺陷检出：1 μm；位移检出能力：± 1.5 μm；最小检出⻆度：1°（以3458样品长边计算）；CD测试精度：±1.5μm（单FOV选取一颗芯片测量尺寸）；CD量测稳定性： ＜ 0.5 μm；过检率： ≤ 0.02%；漏检率： ≤ 0.01%。

3. 样品要求：仅接受晶圆样品，晶圆尺寸：4"/6"/8"；晶圆厚度：0.4 ~ 1.5 mm。

4. 量测位置：偏移、旋转；检出缺陷：翻转、侧立、大面积脏污、缺芯粒、颜色不均、芯粒脏污、芯粒破损等。